ذاكرة خادم 8 جيجابايت DDR4 3200 ECC RDIMM | PC4-25600
ذاكرة خادم DDR4 سعة 8 جيجابايت بتردد 3200 ميجاهرتز مع تصحيح الأخطاء (ECC) من نوع RDIMM (وحدة DIMM مسجلة) مصممة خصيصًا لخوادم المؤسسات. توفر أداءً موثوقًا، وتصحيحًا للأخطاء، واستقرارًا مُحسّنًا لأنظمة المحاكاة الافتراضية، وقواعد البيانات، وأحمال العمل التجارية.
في الأوراق المالية
السعر الأصلي هو: د.إ1,539.00.د.إ1,239.00السعر الحالي هو: د.إ1,239.00.
في الأوراق المالية
ذاكرة خادم DDR4 3200 ECC RDIMM سعة 8 جيجابايت صُممت هذه الوحدة لتوفير أداء موثوق واستقرار النظام لخوادم المؤسسات وبيئات مراكز البيانات. وبفضل تقنية DDR4، توفر هذه الوحدة سرعات نقل بيانات أسرع وكفاءة طاقة محسّنة مقارنةً بأجيال الذاكرة السابقة.
بسعة 8 جيجابايت وسرعة 3200 طن متري/ثانيةتعمل هذه الوحدة على تحسين أداء الخادم بشكل عام من خلال تمكين الأنظمة من معالجة مهام وتطبيقات متعددة بكفاءة. كما تساهم زيادة عرض نطاق الذاكرة في تعزيز استجابة أحمال العمل مثل المحاكاة الافتراضية، وعمليات قواعد البيانات، وخدمات الملفات، وتطبيقات المؤسسات.
تتميز هذه الوحدة بتقنية تصحيح الأخطاء (ECC)، التي تكتشف أخطاء الذاكرة وتصححها تلقائيًا. تساهم ذاكرة ECC في ضمان أداء موثوق للنظام وحماية البيانات الحيوية، مما يجعلها ضرورية لبيئات الخوادم التي يُعد فيها استمرار التشغيل وسلامة البيانات أمرًا بالغ الأهمية.
تستخدم وحدة الذاكرة هذه بنية ذاكرة DIMM المسجلة (RDIMM)، مما يُحسّن استقرار الإشارة ويُمكّن الخوادم من دعم سعات ذاكرة أكبر. تُستخدم وحدات RDIMM بشكل شائع في خوادم المؤسسات وبيئات الحوسبة عالية الأداء.
توفر ذاكرة DDR4، التي تعمل بجهد 1.2 فولت، كفاءة أفضل في استهلاك الطاقة مع الحفاظ على أداء ثابت في ظل أحمال العمل الثقيلة.
يُعدّ هذا التحديث لذاكرة الخادم حلاً مثالياً لتحسين استقرار النظام، وزيادة أداء تعدد المهام، ودعم أحمال العمل المؤسسية المتطلبة.
المفتاح المواصفات
منتج يكتب: ذاكرة الخادم
سعة: 8GB
ذاكرة يكتبذاكرة الوصول العشوائي الديناميكية المتزامنة من نوع DDR4
سرعة3200 طن متري/ثانية
مواصفة: PC4-25600
عامل الشكلRDIMM (وحدة ذاكرة مسجلة)
تصحيح الخطأ: إي سي سي
الجهد االكهربى1.2 فولت
عدد الدبوس: 288 دبوس
حالة الاستخدامخوادم المؤسسات، والتقنيات الافتراضية، وقواعد البيانات، وأحمال عمل التطبيقات








المراجعات
لا توجد مراجعات بعد.